| 描述 | DIODE ULTRAFAST 600V 8A TO-220AC | 电压 - (Vr)（最大） | 600V |
|---|---|---|---|
| 电流 - 平均整流 (Io) | 8A | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | 1.5V @ 8A |
| 速度 | 快速恢复 = 200mA（Io） | 反向恢复时间(trr) | 70ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 100?A @ 600V | 电容@ Vr, F | - |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-2 |
| 供应商设备封装 | TO-220AC | 包装 | 管件 |
石为主要原料，通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉，性脆而锋利。绿碳化硅是以石油焦和优质硅石为主要原料，添加食盐作为添加剂，通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉。 使用高压superfet和一个sic肖特基二极管组成的ccm pfc测试电路，具体地说，将fairchild公司的600-vn沟道superfet mosfet（fca20n60）和6a sic肖特基二极管组合，与平面型mosfet（fqa24n50）和超高速二极管（rurp860）组合进行比较，比较内容为开关损耗与功效。此测试电路的工作频率100khz,输出电压和电流分别为400v与1a.导通时superfet的栅电阻是12ω，关断时为9.1ω。 分别测量mosfet与二极管的电压和电流来估算元件的功率损耗。并且量测输入与输出功率来计算系统的功效。满负荷下，mosfet信号波形由高电平向低电平跃迁时，输入为110vac,开关损耗通过vds与id的交叉区来测量。superfet开关时间大大地降低。平面型mosfet的关断损耗为159μj,superfet为125μj（ ...
