| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 470 毫欧 @ 500mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 40 pF @ 10 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | VML1006 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
