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  • RV8C010UNHZGG2CR

RV8C010UNHZGG2CR

  • 制造商:-
  • 现有数量:5,098现货
  • 价格:1 : ¥4.85000剪切带(CT)8,000 : ¥1.59769卷带(TR)
  • 系列:Automotive, AEC-Q101
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3WFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)470 毫欧 @ 500mA,4.5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-Vgs(最大值)±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)40 pF @ 10 VFET 功能-
功率耗散(最大值)1W工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装DFN1010-3W
封装/外壳3-XFDFN

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