| 描述 | MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 50 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0.9V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 26 pF @ 10 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | EMT3 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
