| 描述 | MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3 | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 39 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1860pF @ 6V | 功率 - 最大 | 800mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装 | TUMT3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | RZF030P01TLTR |
