描述 | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | SiCFET(碳化硅) | 漏源电压(Vdss) | 1200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 41A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 20V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 100 毫欧 @ 20A,20V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 10mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 54 nC @ 20 V | Vgs(最大值) | +25V,-10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1324 pF @ 1000 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 231W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247AD |
封装/外壳 | TO-247-3 |