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  • S2M0080120D

S2M0080120D

  • 制造商:-
  • 现有数量:276现货
  • 价格:1 : ¥117.50000管件
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200VFET 类型N 通道
技术SiCFET(碳化硅)漏源电压(Vdss)1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)41A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)100 毫欧 @ 20A,20V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)54 nC @ 20 VVgs(最大值)+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1324 pF @ 1000 VFET 功能-
功率耗散(最大值)231W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-247AD
封装/外壳TO-247-3

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