| 描述 | DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S | 技术 | 肖特基 |
|---|---|---|---|
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 650 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 112A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.7 V @ 50 A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | - | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 40 μA @ 650 V |
| 不同?Vr、F 时电容 | 3120pF @ 0V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 供应商器件封装 | TO-263-2 |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
