描述 | DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S | 二极管配置 | 1 对共阴极 |
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技术 | SiC(Silicon Carbide)Schottky | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 1200 V |
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 10A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.8 V @ 10 A |
速度 | 无恢复时间 > 500mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 0 ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 30 μA @ 1200 V | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247AD |