| 描述 | DIODE SCHOTTKY 1A 100V DO-41 | 电压 - (Vr)（最大） | 100V |
|---|---|---|---|
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | 850mV @ 1A |
| 速度 | 快速恢复 = 200mA（Io） | 反向恢复时间(trr) | - |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 500?A @ 100V | 电容@ Vr, F | 110pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装 | DO-204AL（DO-41） | 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | SB1100FSCT |
块的电路设计 由lnk500构成2.5w恒压／恒流式充电器模块的内部电路如图1所示。fr为可自恢复熔断电阻器，它具有限流保护作用并能限制上电时的冲击电流。由vd1～vd4构成桥式整流，由电感l1、l2和电容c1、c2组成低功耗π型滤波器，能滤除电磁干扰。l2可采用3.3μh的磁珠。在lnk500内部功率mosfet导通时，输出整流管vd6截止，此时电能就储存在高频变压器中。当功率mosfet关断时，vd6导通，储存在高频变压器中的能量就通过次级电路输出。vd6采用1a／100v的肖特基二极管sb1100，r4和c7并联在vd6两端，能防止vd6在高频开关状态下产生自激振荡。c6为输出端滤波电容。r5为22kω的负载电阻。 图1 2.5w恒压／恒流式充电器模块的内部电路 由r1、c3和vd5构成的rcd型箝位电路具有以下功能： 1）当功率mosfet关断时，对初级感应电压进行箝位； 2）能简化反馈电路的设计。 控制端的反馈电流由电阻r2来设定。刚启动电源时由控制端电容c4给lnk500供电，c4还决定了自动重启动频率。 为了降低电磁干扰，高频变压器的初级设计了两个绕组， ...
电器模块的电路设计由lnk500构成2.5w恒压／恒流式充电器模块的内部电路如图1所示。fr为可自恢复熔断电阻器，它具有限流保护作用并能限制上电时的冲击电流。由vd1～vd4构成桥式整流，由电感l1、l2和电容c1、c2组成低功耗π型滤波器，能滤除电磁干扰。l2可采用3.3μh的磁珠。在lnk500内部功率mosfet导通时，输出整流管vd6截止，此时电能就储存在高频变压器中。当功率mosfet关断时，vd6导通，储存在高频变压器中的能量就通过次级电路输出。vd6采用1a／100v的肖特基二极管sb1100，r4和c7并联在vd6两端，能防止vd6在高频开关状态下产生自激振荡。c6为输出端滤波电容。r5为22kω的负载电阻。由r1、c3和vd5构成的rcd型箝位电路具有以下功能：1）当功率mosfet关断时，对初级感应电压进行箝位；2）能简化反馈电路的设计。控制端的反馈电流由电阻r2来设定。刚启动电源时由控制端电容c4给lnk500供电，c4还决定了自动重启动频率。为了降低电磁干扰，高频变压器的初级设计了两个绕组，分别为np1及np2。np2被称为"抵消绕组"（cancellation windi ...
1n5822的反压才40v,其他倒满足。sb1100 电流小,其他倒满足. ...
