| 描述 | SBR Diode X1-DFN1006-2/SWP T&R 1 | 技术 | 超级势垒 |
|---|---|---|---|
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 40 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 590 mV @ 200 mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间 (trr) | 3.8 ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10 μA @ 40 V |
| 不同?Vr、F 时电容 | 8pF @ 5V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 0402（1006 公制） | 供应商器件封装 | X1-DFN1006-2 |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
