| 描述 | DIODE SILICON CARBIDE 650V 4A | 技术 | SiC（Silicon Carbide）Schottky |
|---|---|---|---|
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 650 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 4A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.5 V @ 4 A | 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 0 ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 20 μA @ 650 V |
| 不同?Vr、F 时电容 | 200pF @ 1V，1MHz | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-2 | 供应商器件封装 | - |
| 工作温度 - 结 | 175°C（最大） |
