| 描述 | 1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | SiCFET（碳化硅） | 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 585 毫欧 @ 3A，18V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 900μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 27 nC @ 18 V | Vgs（最大值） | +22V，-6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 463 pF @ 800 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 85W（Tc） | 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247N |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
