| 描述 | SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | SiCFET（碳化硅） | 漏源电压（Vdss） | 1700 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.9A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 975 毫欧 @ 1.7A，18V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 630μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 17 nC @ 18 V | Vgs（最大值） | +22V，-6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 275 pF @ 800 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 57W（Tc） | 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-268 |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA |
