| 描述 | SICFET N-CH 650V 38A TO263-7 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | SiCFET（碳化硅） | 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 38A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 78 毫欧 @ 13A，18V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.6V @ 6.67mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 58 nC @ 18 V | Vgs（最大值） | +22V，-4V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 852 pF @ 500 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 159W | 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-263-7 |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
