描述 | HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50mA(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V,25V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 45 欧姆 @ 1mA,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 1μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | Vgs(最大值) | ±40V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | - | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 300mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 125°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-72-4 |
封装/外壳 | TO-206AF,TO-72-4 金属罐 |