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SD214DE-2

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：+/- 40 V

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产品属性

描述	MOSFET 30V 50mA 0.3W 45ohm @ 10V	漏极连续电流	50 mA
电阻汲极/源极 RDS（导通）	58 Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 125 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-206AF	封装	Tube
下降时间	0.6 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	300 mW	上升时间	0.6 ns
典型关闭延迟时间	2 ns

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