描述 | IC INAND FLASH 512MB 56-FBGA | 存储器类型 | 闪存 - NAND |
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存储容量 | 4G(512M x 8) | 速度 | - |
接口 | SD/SPI 串行 | 电源电压 | 2.7 V ~ 3.6 V |
工作温度 | -25°C ~ 85°C | 封装/外壳 | 56-BGA |
供应商设备封装 | 56-BGA(18x12) | 包装 | 托盘 |
其它名称 | 585-1214SDINB1-512-ND |
【NXP Semiconductors】SDIO101IHE,515,输入/输出控制器接口集成电路 HOST CONTROLLER
【NXP Semiconductors】SDIO101IHR,515,IC FLASH MEMORY CTRLR 60HXQFN
【NXP Semiconductors】SDIO101IHR,551,IC FLASH MEMORY CTRL 60HXQFN
【TPI (Test Products Int)】SDIT30,DIGITAL INSUL RESISTANCE TESTER
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