| 描述 | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 100-200% | 最大集电极/发射极电压 | 70 V |
|---|---|---|---|
| 最大集电极/发射极饱和电压 | 0.4 V | 绝缘电压 | 5300 Vrms |
| 电流传递比 | 200 % | 最大正向二极管电压 | 1.65 V |
| 最大集电极电流 | 100 mA | 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 100 C | 最小工作温度 | - 55 C |
| 封装 / 箱体 | PDIP-6 | 封装 | Tube |
| 最大输入二极管电流 | 60 mA | 最大反向二极管电压 | 6 V |
| 输出设备 | Phototransistor | 输出类型 | DC |
| Standard Pack Qty | 2000 |
敏三极管作为接收管表1典型线性光耦合器的主要参数产品型号 ctr/% v（br）ce0/v 生产厂 封装型式pc816a 80～160 70 sharp dzp-4基极未引出pc817a 80～160 35 sharp sfh610a-2 63～125 70 simens nec2501-h 80～160 40 nec cny17-2 63～125 70 motoroln dzp-4基极未引出cny17-3 100～200 70 simens sfh600-1 63～125 70 simens sfh600-2 100～200 70 simens cny75ga 63～125 90 temic dzp-4基极未引出cny75gb 100～200 90 temic moc8101 50～80 30 motoroln moc8102 73～117 30 motoroln 3.光耦合器的技术参数 光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降vf、正向电流if、电流传输比ctr、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压v(br)ceo、集电极-发射极饱和压降vce(sat)。此外，在传输数字信 ...
SFH600-2X001,晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-200%
SFH600-2X006,晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-200%
SFH600-2X007,晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-200%
SFH600-2X016,晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-200%
SFH600-3X001,晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>160-320%