描述 | MOSFET P-CH 200V 19.5A TO-3P | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 19.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 230 毫欧 @ 9.8A,5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 120nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3250pF @ 25V |
功率 - 最大 | 204W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 | 供应商设备封装 | TO-3P |
包装 | 管件 |