| 描述 | MOSFET N-CH 100V 9A TP | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 225 毫欧 @ 3A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.6V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 9.8nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 490pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 供应商设备封装 | TP |
| 包装 | 带卷 (TR) |
