您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > sgh10n120rufdtu

SGH10N120RUFDTU

描述IGBT 晶体管栅极/发射极最大电压+/- 25 V
在25 C的连续集电极电流16 A栅极—射极漏泄电流100 nA
功率耗散125 W最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体TO-3P-3封装Tube
集电极最大连续电流 Ic16 A最小工作温度- 55 C
安装风格Through Hole工厂包装数量30

sgh10n120rufdtu的相关型号: