| 描述 | IGBT 晶体管 | 栅极/发射极最大电压 | +/- 25 V |
|---|---|---|---|
| 在25 C的连续集电极电流 | 40 A | 栅极—射极漏泄电流 | 100 uA |
| 功率耗散 | 270 W | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 | 封装 | Tube |
| 集电极最大连续电流 Ic | 40 A | 最小工作温度 | - 55 C |
| 安装风格 | Through Hole | 工厂包装数量 | 30 |
【Fairchild Semiconductor】SGH30N60RUFDTU,IGBT SHORT CIRC 600V 30A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】SGH30N60RUFTU,IGBT SHORT CIRC 600V 30A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】SGH40N60UFDM1TU,IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】SGH40N60UFDTU,IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】SGH40N60UFTU,IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】SGH80N60UFDTU,IGBT HI PERFORM 100V 28A TO-3P