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  • SGR2N60UFDTM

SGR2N60UFDTM

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性关于Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)
描述IGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK电压 - 集电极发射极击穿（最大）600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）2.6V @ 15V，1.2A电流 - 集电极 (Ic)（最大）2.4A
功率 - 最大25W输入类型标准型
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装D-Pak包装带卷 (TR)

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