| 描述 | 650 V, 49 MOHM TYP., 25 A, E-MOD | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | GaNFET（氮化镓） | 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 15A，6V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 7mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 5.4 nC @ 6 V | Vgs（最大值） | +6V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 286 pF @ 400 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），305W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerFlat?（5x6）HV |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
