| 描述 | IGBT NPT 1200V 46A 313W TO247-3 | IGBT 类型 | NPT |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V | Vge, Ic时的最大Vce（开） | 3.6V @ 15V，25A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 46A | 功率 - 最大 | 313W |
| 输入类型 | 标准型 | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | 供应商设备封装 | PG-TO247-3 |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | SP000012565 |
阻rce(on) 不大于mosfet的rds(on) 的10%。4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kv~1.8kv的约1.2us、600v级的约0.2us, 约为gtr的10%,接近于功率mosfet, 开关频率直达100khz, 开关损耗仅为gtr的30%。 igbt将场控型器件的优点与gtr的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。目前458系列因应不同机种采了不同规格的igbt,它们的参数如下:(1) sgw25n120----西门子公司出品,耐压1200v,电流容量25℃时46a,100℃时25a,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6a/1200v以上的快速恢复二极管(d11)使用,该igbt配套6a/1200v以上的快速恢复二极管(d11)后可代用skw25n120。(2) skw25n120----西门子公司出品,耐压1200v,电流容量25℃时46a,100℃时25a,内部带阻尼二极管,该igbt可代用sgw25n120,代用时将原配套sgw25n120的d11快速恢复二极管拆除不装。(3) gt40 ...
