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  • SH8J65TB1

SH8J65TB1

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.665
  • 5000$0.63175
  • 10000$0.60563
  • 25000$0.589
描述MOSFET P-CH DUAL 30V 7A SOP8FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C29 毫欧 @ 7A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 10V
功率 - 最大2W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOP
包装带卷 (TR)其它名称SH8J65TB1TR

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