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  • SH8K32TB1

SH8K32TB1

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.6076
  • 5000$0.57722
  • 10000$0.55335
  • 25000$0.53816
描述MOSFET N-CH DUAL 60V 4.5A SOP8FET 型2 个 N 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 4.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds500pF @ 10V功率 - 最大2W
安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOP(5.0x6.0)包装带卷 (TR)
其它名称SH8K32TB1TR

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