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  • SH8M70TB1

SH8M70TB1

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.5782
  • 5000$0.54929
  • 10000$0.52658
  • 25000$0.51212
描述MOSFET N/P-CH 250V SOP8FET 型N 和 P 沟道
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A,2.5A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.63 欧姆 @ 1.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs5.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds180pF @ 25V功率 - 最大2W
安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOP包装带卷 (TR)
其它名称SH8M70TB1TR

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