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  • SI1023X-T1-GE3

SI1023X-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 P 沟道(双)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.14415
  • 6000$0.13485
  • 15000$0.12555
  • 30000$0.11858
  • 75000$0.11625
产品属性
描述MOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-6FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C370mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 350mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs1.5nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大250mW安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商设备封装SC-89-6
包装带卷 (TR)其它名称SI1023X-T1-GE3TR

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