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  • SI1025X-T1-GE3

SI1025X-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:2 个 P 沟道(双)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.1705
  • 6000$0.1595
  • 15000$0.1485
  • 30000$0.14025
  • 75000$0.1375
产品属性
描述MOSFET P-CH 60V 190MA SC-89FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C190mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 欧姆 @ 500mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs1.7nC @ 15V输入电容 (Ciss) @ Vds23pF @ 25V
功率 - 最大250mW安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商设备封装SC-89-6
包装带卷 (TR)其它名称SI1025X-T1-GE3TR

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