您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si1029x-t1

SI1029X-T1

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N and P-Channel
汲极/源极击穿电压：+/- 60 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET 60V 0.5A	漏极连续电流	0.305 A, - 190 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	3 Ohms, 8 Ohms	配置	Dual
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-89-6	封装	Reel
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	250 mW
工厂包装数量	3000	商标名	TrenchFET

si1029x-t1的相关型号：