| 描述 | MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3 | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 860mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 280 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 450mV @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 功率 - 最大 | 290mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装 | SC-70-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI1305EDL-T1-E3TR |
