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  • SI1441EDH-T1-GE3

SI1441EDH-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:- 20 V
  • 闸/源击穿电压:10 V
  • 漏极连续电流:- 4 A

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥3.66
  • 10¥2.55
  • 100¥2.18
  • 250¥1.88
  • 500¥1.62
产品属性
描述MOSFET 20V 4A 2.8W电阻汲极/源极 RDS(导通)0.034 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SC-70-6
封装Reel正向跨导 gFS(最大值/最小值)16 S
栅极电荷 Qg22 nC最小工作温度- 55 C
功率耗散2.8 W零件号别名SI1441EDH-GE3

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