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  • SI1539CDL-T1-GE3

SI1539CDL-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:+/- 30 V
  • 闸/源击穿电压:20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥1.45
  • 10¥1.38
  • 100¥1.04
  • 250¥0.897
  • 500¥0.828
产品属性
描述MOSFET 30 Volts 0.7 Amps 0.34 Watts漏极连续电流0.7 A, - 0.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.323 Ohms, 0.388 Ohms配置Dual
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SC-70-6
封装Reel下降时间15 ns, 10 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)1.2 S, 0.6 S栅极电荷 Qg1 nC
功率耗散0.34 Watts上升时间25 ns, 19 ns
典型关闭延迟时间14 ns, 4 ns零件号别名SI1539CDL-GE3

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