| 描述 | MOSFET 20V 1.28/1.0 | 漏极连续电流 | 1.28 A, - 1 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.28 Ohms at 4.5 V, 0.49 Ohms at - 4.5 V | 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-363-6 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 210 nS, 850 nS | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 2.6 S, 1.5 S |
| 栅极电荷 Qg | 0.65 nC, 1.2 nC | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 570 mW | 上升时间 | 85 nS, 480 nS |
| 工厂包装数量 | 3000 | 商标名 | TrenchFET |
| 典型关闭延迟时间 | 350 nS, 840 nS |
