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SI1865DL-T1

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:8 V
  • 漏极连续电流:1.2 A
产品属性
描述MOSFET 1.8-8V 1.2A电阻汲极/源极 RDS(导通)0.215 Ohms
配置Dual最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-363-6
封装Reel最小工作温度- 55 C
功率耗散400 mW工厂包装数量3000
商标名TrenchFET

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