描述 | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 12V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 390 毫欧 @ 1A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 4.2nC @ 8V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 120pF @ 6V |
功率 - 最大 | 1.25W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商设备封装 | SC-70-6 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SI1965DH-T1-GE3TR |