| 描述 | MOSFET 20V 2.8A 1.25 | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 85 mOhms at 4.5 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-236-3 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 36 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 1250 mW |
| 上升时间 | 36 ns | 工厂包装数量 | 3000 |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
si2302ds-t1广泛适用于it、通信、消费类电子等领域。其近几周网页搜索率和询价频率明显增多，商家报价也较为积极，且所报价格较集中，皆在0.5元/pcs-0.7元/pcs之间，购买量达1000以上时价格可下调至0.38元/pcs左右。 产品型号：si2302ds-t1 所属类型：半导体三极管 制造商：vishay 封装方式：sot-23 产品详细参数 rohs：否 配置：single 晶体管极性：n-channel 极极/源极击穿电压：20v 闸/源击穿电压：+/-8v 漏极连续电流：2.8a 功率耗散：1250mw 最大工作温度：+150℃ 安装风格：smd/smt 封装/箱体：to-236-3 封装：reel 最小工作温度：-55℃ standardpackqty：3000 ...
