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  • SI2304DS

SI2304DS

  • 制造商:-
  • 典型关断延迟时间:18 ns
  • 典型接通延迟时间:4 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:4.6 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds:147 pF V @ 10
  • 安装类型:表面贴装

参考价格

  • 数量单价
  • 20RMB1.21
  • 100RMB1.07
  • 200RMB0.94
  • 400RMB0.85
  • 1000RMB0.78
产品属性
宽度1.4mm封装类型TO-236AB
尺寸3 x 1.4 x 1mm引脚数目3
最低工作温度-65 °C最大功率耗散830 mW
最大栅源电压±20 V最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值0.177最大连续漏极电流1.7 A
最高工作温度+150 °C每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET通道模式增强
通道类型N配置
长度3mm高度1mm

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