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  • SI2306BDS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.2015
  • 6000$0.1885
  • 15000$0.1755
  • 30000$0.16575
  • 75000$0.1625
产品属性
描述MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C47 毫欧 @ 3.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs4.5nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds305pF @ 15V
功率 - 最大750mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装带卷 (TR)其它名称SI2306BDS-T1-GE3TR

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