| 描述 | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 31 毫欧 @ 5A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 850mV @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 750mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SI2312BDS-T1-GE3TR |
