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  • SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.19375
  • 6000$0.18125
  • 15000$0.16875
  • 30000$0.15938
  • 75000$0.15625
产品属性
描述MOSFET P-CH 40V SOT-23FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)40V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C77 毫欧 @ 3.1A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds595pF @ 20V
功率 - 最大2.5W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装带卷 (TR)其它名称SI2319CDS-T1-GE3TR

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