您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si2328ds-t1

SI2328DS-T1

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:100 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET 100V 1.5A漏极连续电流1.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.25 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-236-3封装Reel
下降时间11 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散730 mW上升时间11 ns
工厂包装数量3000典型关闭延迟时间9 ns

si2328ds-t1的相关型号: