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Si2333CDS-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：12 V
闸/源击穿电压：+/- 8 V

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参考价格

数量单价
1￥3.59
10￥3.31
100￥2.97
250￥2.62
500￥2.35

产品属性

描述	MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V	漏极连续电流	5.1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	35 mOhms at 4.5 V	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23	封装	Reel
下降时间	35 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1250 mW	上升时间	35 ns
工厂包装数量	3000	典型关闭延迟时间	45 ns
零件号别名	SI2333CDS-GE3

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