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Si2338DS-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥2.35
  • 10¥2.28
  • 100¥1.66
  • 250¥1.45
  • 500¥1.31
产品属性
描述MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts漏极连续电流6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.023 Ohms配置Single
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-23
封装Reel下降时间7 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)24 S栅极电荷 Qg8.2 nC
功率耗散2.5 Watts上升时间11 ns
典型关闭延迟时间20 ns零件号别名SI2338DS-GE3

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