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Si2366DS-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：20 V

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参考价格

数量单价
1￥2.28
10￥1.93
100￥1.59
250￥1.38
500￥1.24

产品属性

描述	MOSFET 30 Volts 5.8 Amps 2.1 Watts	漏极连续电流	5.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.03 Ohms	配置	Single
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SOT-23
封装	Reel	下降时间	8 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	13 S	栅极电荷 Qg	6.4 nC
功率耗散	2.1 Watts	上升时间	12 ns
典型关闭延迟时间	14 ns	零件号别名	SI2366DS-GE3

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