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  • SI3443DVTRPBF

SI3443DVTRPBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 4.4A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1079pF @ 10V
功率 - 最大2W安装类型表面贴装
封装/外壳6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)供应商设备封装Micro6?(TSOP-6)
包装带卷 (TR)其它名称SI3443DVTRPBF-NDSI3443DVTRPBFTR

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