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SI3446DV-T1

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 12 V
产品属性
描述MOSFET 20V 5.3A 2W漏极连续电流5.3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.045 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TSOP-6封装Reel
下降时间35 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散2 W上升时间50 ns
工厂包装数量3000商标名TrenchFET
典型关闭延迟时间65 ns

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