您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si3454dv

SI3454DV

描述MOSFET 30V/20V NCh MOSFET漏极连续电流4.2 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.065 Ohms配置Single Quad Drain
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体Super SOT-6封装Reel
下降时间8 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)10 S
最小工作温度- 55 C功率耗散1.6 W
上升时间8 ns工厂包装数量3000
典型关闭延迟时间17 ns

si3454dv的相关型号: