| 描述 | MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 28 毫欧 @ 5.1A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 8V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 666pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2.7W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | 供应商设备封装 | 6-TSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SI3460DDV-T1-GE3TR |
